HOT N-Channel MOSFET DFN1006-3L

HN3134KD3

20V N 沟道增强型 MOSFET — 1.0×0.6mm 超小封装

HN3134KD3 是一款 20V N 沟道 MOSFET，采用 DFN1006-3L 封装，本体尺寸仅 1.0mm×0.6mm，厚度 0.5mm，适合空间极度受限的便携与可穿戴设备。器件在 V_GS=4.5V 时导通电阻典型 270mΩ，在 2.5V 低逻辑电平下典型 350mΩ，可由 1.8V/2.5V/3.3V 逻辑直接驱动；连续漏极电流 0.75A，脉冲电流 1.8A，并内置 ESD 保护结构。

漏源电压 V_DS

20 V

连续漏极电流 I_D

0.75 A

导通电阻 R_DS(on)

270 mΩ @ 4.5V

栅极阈值电压 V_GS(th)

0.45 ~ 1.0 V

封装形式

DFN1006-3L

工作温度范围

-40 ~ +85 °C

产品特性 Features

N 沟道增强型结构，R_DS(on) 典型 270 mΩ @ V_GS = 4.5V

低逻辑电平驱动：350 mΩ @ V_GS = 2.5V，可直接由 1.8V/2.5V/3.3V 逻辑供电

漏源耐压 20 V，连续漏极电流 0.75 A，脉冲电流 1.8 A

栅极阈值电压 0.45 ~ 1.0 V，开启一致性良好

超小封装：DFN1006-3L，本体 1.0×0.6mm，厚度仅 0.5mm

低栅极电荷与低寄生电容：C_iss 79 pF / C_oss 13 pF / C_rss 9 pF

快速开关：t_d(on) 6.4 ns / t_r 4.8 ns / t_d(off) 17.3 ns / t_f 7.4 ns

内置 ESD 保护结构，提升装配与使用可靠性

表面贴装、无铅产品（Lead free），RoHS 合规

编带包装 10,000 pcs/reel，适配高速 SMT 产线

应用领域 Application

负载开关电平转换电池保护便携式设备可穿戴设备 TWS 耳机 LED 驱动信号切换小电流 DC-DC 消费电子

产品描述 Description

HN3134KD3 面向超薄、超小体积的终端产品。DFN1006-3L 封装本体仅 1.0mm×0.6mm、厚度 0.5mm，相比 SOT-23 节省约 90% 的占板面积，是 TWS 耳机、智能手表、手机周边等空间受限场景中替代传统小信号 MOS 的理想选择。

器件采用低阈值设计，V_GS(th) 典型 0.75V，在 2.5V 栅压下导通电阻典型 350mΩ，可直接由低压逻辑口驱动而无需额外电平转换或预驱电路。栅极漏电流小于 ±10µA，关断状态下漏源漏电流小于 1µA，有助于降低待机功耗。

内置 ESD 保护结构使器件在 SMT 装配、测试与现场使用中具备更好的抗静电能力，降低因静电损伤导致的早期失效风险。

20V N-Channel MOSFET — DFN1006-3L（1.0×0.6×0.5mm），R_DS(on) 270mΩ@4.5V，0.75A，2.5V 低逻辑电平驱动

DFN1006-3L 封装外形 Package Outline — 三只焊盘均位于本体底面，正面俯视只见本体与丝印，引脚不可见；丝印 Marking：HN3134KD3

电气特性 Electrical Characteristics

最大额定值 Absolute Maximum Ratings（T_A = 25°C）

参数	符号	条件	数值	单位
漏源电压	V_DS	—	20	V
栅源电压	V_GS	—	±12	V
连续漏极电流	I_D	T_A = 25°C（注 1）	0.75	A
脉冲漏极电流	I_DM	t_p = 10 µs，T_A = 25°C	1.8	A
耗散功率	P_D	T_A = 25°C（注 1）	100	mW
结到环境热阻	R_θJA	注 1	1250	°C/W
最大结温	T_J	—	150	°C
储存温度范围	T_STG	—	-55 ~ +150	°C
焊接温度	T_L	距本体 1/8″，10 s	260	°C

静态特性 Static Characteristics（T_A = 25°C）

参数	符号	测试条件	Min	Typ	Max	单位
漏源击穿电压	V_(BR)DS	V_GS = 0V，I_D = 250µA	20	—	—	V
漏源漏电流	I_DS	V_DS = 16V，V_GS = 0V	—	—	1	µA
栅体漏电流	I_GS	V_GS = ±12V，V_DS = 0V	—	—	±10	µA
栅极阈值电压	V_GS(th)	V_DS = V_GS，I_D = 250µA	0.45	0.75	1	V
静态导通电阻	R_DS(on)	V_GS = 4.5V，I_D = 0.5A	—	270	450	mΩ
静态导通电阻	R_DS(on)	V_GS = 2.5V，I_D = 0.3A	—	350	600	mΩ
正向跨导	g_fs	V_DS = 10V，I_D = 150mA	150	—	—	mS
体二极管正向压降	V_SD	I_S = 0.5A，V_GS = 0V	—	0.7	1.3	V

动态特性 Dynamic Characteristics

参数	符号	测试条件	Min	Typ	Max	单位
输入电容	C_iss	V_DS = 16V，V_GS = 0V，f = 1MHz	—	79	120	pF
输出电容	C_oss	V_DS = 16V，V_GS = 0V，f = 1MHz	—	13	20	pF
反向传输电容	C_rss	V_DS = 16V，V_GS = 0V，f = 1MHz	—	9	15	pF
开通延迟时间	t_d(on)	V_GS = 4.5V，V_DS = 10V，I_D = 500mA，R_GEN = 10Ω	—	6.4	—	ns
上升时间	t_r	V_GS = 4.5V，V_DS = 10V，I_D = 500mA，R_GEN = 10Ω	—	4.8	—	ns
关断延迟时间	t_d(off)	V_GS = 4.5V，V_DS = 10V，I_D = 500mA，R_GEN = 10Ω	—	17.3	—	ns
下降时间	t_f	V_GS = 4.5V，V_DS = 10V，I_D = 500mA，R_GEN = 10Ω	—	7.4	—	ns

测试环境温度 T_A = 25°C（除非另有说明）。
注 1：器件焊接在最小推荐焊盘的 FR4 板上测试。
注 2：脉冲测试，脉宽 ≤ 300µs，占空比 ≤ 2%。
注 3：开关特性与工作结温无关。
规格书版本 V1.1，完整参数与曲线请参阅官方数据手册。

封装与订购信息 Package & Ordering

型号 Device	封装 Package	包装 Carrier	数量 Quantity	温度范围	环保 Status
HN3134KD3	DFN1006-3L	Tape & Reel	10,000 pcs	-40 ~ +85 °C	RoHS compliant

封装尺寸 Package Outline（单位：mm）

尺寸代号	Min	Max	尺寸代号	Min	Max
A	0.46	0.50	b1	0.45	0.55
A1	—	0.03	L	0.22	0.32
D	0.55	0.65	L1	0.22	0.32
E	0.95	1.05	e	Typ. 0.34
b	0.12	0.22	e1	Typ. 0.65

本体尺寸 1.0mm（E）× 0.6mm（D），厚度 0.46~0.50mm。焊接盘设计请参考官方数据手册中的 Typical Soldering Pattern 章节。