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NEW Schottky Barrier Rectifier DFN1006-2L

MBR4010BS

40V / 1A 肖特基势垒整流二极管 — 1.0×0.6mm 超小无引脚封装

MBR4010BS 是一款 40V / 1A 肖特基势垒整流二极管,采用 DFN1006-2L(SOD882)无引脚超小表面贴装封装,本体尺寸仅 1.0mm×0.6mm。器件正向压降在 IF=1.0A 时不超过 0.6V,反向电流在 VR=40V 时不超过 30µA,具备超高速开关特性,适用于低压整流、高效率 DC-DC 转换与开关电源等场合。

直流反向电压 VR
40 V
平均整流正向电流 IF(AV)
1.0 A
正向压降 VF
≤ 0.6 V @ 1.0 A
反向电流 IR
≤ 30 µA @ 40 V
封装形式
DFN1006-2L (SOD882)
工作结温范围
-40 ~ +125 °C
MBR4010BS DFN1006-2L 封装

产品特性 Features

平均整流正向电流 IF(AV) ≤ 1.0 A
直流反向电压 VR ≤ 40 V
低正向压降:VF ≤ 0.6 V @ IF = 1.0 A(0.40 V @ 0.1 A)
低反向电流:IR ≤ 30 µA @ VR = 40 V
正向浪涌电流 IFSM 7.0 A(8.0 ms 单次脉冲)
超高速开关,适合高频开关电源与快充整流
无引脚超小 SMD 封装 DFN1006-2L(SOD882),本体 1.0×0.6mm
低功耗,RoHS 合规、无卤(Halogen Free)
工作结温 -40 ~ +125 °C
编带包装 10,000 pcs/reel,适配高速 SMT 产线

应用领域 Application

低压整流 高效 DC-DC 转换 开关电源 SMPS 低功耗应用 超高速开关 移动设备 LED 背光 续流 / 钳位 极性保护 便携式设备 消费电子

产品描述 Description

MBR4010BS 采用肖特基势垒结构,以金属-半导体结替代传统 PN 结,因而具备更低的正向压降与极短的反向恢复时间。在 1.0A 正向电流下压降不超过 0.6V,相比同等级快恢复二极管可显著降低导通损耗,提升整机效率;反向恢复近乎为零的特性使其在高频开关场合不产生明显的开关尖峰。

DFN1006-2L(SOD882)封装为无引脚设计,本体仅 1.0mm×0.6mm,相比 SOD-123、SOD-323 大幅节省占板面积与高度,适合 TWS 耳机、智能手表、手机周边等空间极度受限的产品。两只焊盘位于本体底面,装配时由回流焊直接与 PCB 焊盘结合。

器件在 VR=40V 下反向电流不超过 30µA,待机与关断状态下的漏电损耗很低;7.0A 的正向浪涌承受能力可应对上电瞬间的容性充电冲击。

40V / 1A Schottky Barrier Rectifier — DFN1006-2L(1.0×0.6mm),VF ≤ 0.6V @ 1A,IR ≤ 30µA,IFSM 7.0A

电气特性 Electrical Characteristics

最大额定值 Maximum Ratings(TA = 25°C)
参数 符号 数值 单位
直流反向电压VR40V
平均整流正向电流IF(AV)1.0A
正向浪涌峰值电流IFSM7.0A
结温Tj125°C
储存温度范围Tstg-40 ~ +125°C
电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)
参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
正向压降VF——0.40VIF = 0.1 A
正向压降VF——0.60VIF = 1.0 A
反向电流IR——30µAVR = 40 V
测试环境温度 TA = 25°C(除非另有说明)。正向浪涌电流为 8.0 ms 单次脉冲条件下的峰值。
规格书版本 V1.0,完整参数与曲线请参阅官方数据手册。

封装与订购信息 Package & Ordering

型号 Device 封装 Package 包装 Carrier 数量 Quantity 丝印 Mark 环保 Status
MBR4010BSDFN1006-2LTape & Reel(7″)10,000 pcs4ARoHS / Halogen Free
封装本体尺寸 1.0mm × 0.6mm(DFN1006-2 / SOD882)。典型焊接盘尺寸:焊盘宽 0.9mm / 0.6mm,间距 0.3mm, 阻焊开窗 0.7mm / 0.4mm,整体占用面积 1.3mm × 0.7mm。详细图形请参考官方数据手册中的 SOLDERING FOOTPRINT 章节。

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